Michael Povolotskyi

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	2137	926
h-index	25	16
i10-index	63	35

240

120

180

200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320248 16 12 33 35 46 59 42 71 110 157 222 162 224 159 221 181 155 111 99

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

30 άρθρα

7 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Aldo Di CarloProf. of Opto&Nano-electronics, University of Rome Tor Vergata. Consiglio Nazionale delle RicercheΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uniroma2.it
Mark J.W. RodwellProfessor of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa BarbaraΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ece.ucsb.edu
Yaohua TanUniversity of VirginiaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Matthias Auf der MaurUniversity of Rome "Tor Vergata"Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ing.uniroma2.it
Alessandro PecchiaCNR-ISMNΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ismn.cnr.it
James E FonsecaPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Giuseppe RomanoResearch Scientist, MITΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mit.edu
Saumitra MehrotraNXP SemiconductorsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nxp.com
Gabriele PenazziR&D EngineerΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα synopsys.com
Ganesh HegdeAdvanced Logic Lab, Samsung Semiconductor IncΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ssi.samsung.com
Dr. Stefan Birnernextnano GmbH, GermanyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nextnano.com
Arvind AjoyAssociate Professor, Indian Institute of Technology PalakkadΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iitpkd.ac.in
Mark LundstromProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
James Jeremy MacDonald LawGener8Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gener8.net
Prof. Lang ZengProfessor in School of Integrated Circuits Science and Engineering, Beihang UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα buaa.edu.cn
Jean-Marc JancuProfesseur des universités INSA RennesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα insa-rennes.fr
Gerhard AbstreiterTU München, Walter Schottky Institut, Institute for Advanced StudyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα wsi.tum.de
Doron Cohen EliasResearch Scientist , SNRCΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα soreq.gov.il
Mehdi Salmani JelodarLead Data Scientist at BCG (The Boston Consulting Group)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bcg.com

Παρακολούθηση

Michael Povolotskyi

Jacobs Technologies

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα jacobs.com

Physics device modelling nanostructures high performace computing


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
NEMO5: A parallel multiscale nanoelectronics modeling tool S Steiger, M Povolotskyi, HH Park, T Kubis, G Klimeck IEEE Transactions on Nanotechnology 10 (6), 1464-1474, 2011	238	2011
Efficient and realistic device modeling from atomic detail to the nanoscale JE Fonseca, T Kubis, M Povolotskyi, B Novakovic, A Ajoy, G Hegde, ... Journal of Computational Electronics 12 (4), 592-600, 2013	123	2013
Tight-binding analysis of Si and GaAs ultrathin bodies with subatomic wave-function resolution YP Tan, M Povolotskyi, T Kubis, TB Boykin, G Klimeck Physical Review B 92 (8), 085301, 2015	82	2015
Transferable tight-binding model for strained group IV and III-V materials and heterostructures Y Tan, M Povolotskyi, T Kubis, TB Boykin, G Klimeck Physical Review B 94 (4), 045311, 2016	77	2016
Carrier-confinement effects in nanocolumnar quantum disks grown by molecular-beam epitaxy J Ristić, C Rivera, E Calleja, S Fernández-Garrido, M Povoloskyi, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (8), 085330, 2005	70	2005
Engineering Nanowire n-MOSFETs at SR Mehrotra, SG Kim, T Kubis, M Povolotskyi, MS Lundstrom, G Klimeck IEEE Transactions on Electron Devices 60 (7), 2171-2177, 2013	59	2013
Electronic and transport properties of silicon nanowires F Sacconi, MP Persson, M Povolotskyi, L Latessa, A Pecchia, A Gagliardi, ... Journal of Computational Electronics 6, 329-333, 2007	52	2007
Elasticity theory of pseudomorphic heterostructures grown on substrates of arbitrary thickness M Povolotskyi, A Di Carlo Journal of Applied Physics 100 (6), 2006	52	2006
TiberCAD: Towards multiscale simulation of optoelectronic devices M Auf der Maur, M Povolotskyi, F Sacconi, A Pecchia, G Romano, ... Optical and quantum electronics 40, 1077-1083, 2008	45	2008
Effects of strain and confinement on the emission wavelength of InAs quantum dots due to a capping layer O Schumann, S Birner, M Baudach, L Geelhaar, H Eisele, L Ivanova, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 71 (24), 245316, 2005	44	2005
Design principles for HgTe based topological insulator devices P Sengupta, T Kubis, Y Tan, M Povolotskyi, G Klimeck Journal of Applied Physics 114 (4), 2013	40	2013
Simulation Study of Thin-Body Ballistic n-MOSFETs Involving Transport in Mixed-L Valleys SR Mehrotra, M Povolotskyi, DC Elias, T Kubis, JJM Law, MJW Rodwell, ... IEEE electron device letters 34 (9), 1196-1198, 2013	40	2013
Empirical tight binding parameters for GaAs and MgO with explicit basis through DFT mapping Y Tan, M Povolotskyi, T Kubis, Y He, Z Jiang, G Klimeck, TB Boykin Journal of Computational Electronics 12, 56-60, 2013	39	2013
Enhanced valence force field model for the lattice properties of gallium arsenide S Steiger, M Salmani-Jelodar, D Areshkin, A Paul, T Kubis, M Povolotskyi, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (15), 155204, 2011	38	2011
Incoherent transport in NEMO5: realistic and efficient scattering on phonons J Charles, P Sarangapani, R Golizadeh-Mojarad, R Andrawis, D Lemus, ... Journal of Computational Electronics 15, 1123-1129, 2016	35	2016
High-Current Tunneling FETs With ( 1\bar {1}0 ) Orientation and a Channel Heterojunction GKMJWR P. Long, J. Z. Huang, M. Povolotskyi IEEE Electron Device Letters 37 (3), 345-348, 2016	34	2016
MoS₂ for Enhanced Electrical Performance of Ultrathin Copper Films T Shen, D Valencia, Q Wang, KC Wang, M Povolotskyi, MJ Kim, ... ACS applied materials & interfaces 11 (31), 28345-28351, 2019	31	2019
Grain-boundary resistance in copper interconnects: from an atomistic model to a neural network D Valencia, E Wilson, Z Jiang, GA Valencia-Zapata, KC Wang, G Klimeck, ... Physical review applied 9 (4), 044005, 2018	31	2018
Control of interlayer physics in 2H transition metal dichalcogenides KC Wang, TK Stanev, D Valencia, J Charles, A Henning, VK Sangwan, ... Journal of Applied Physics 122 (22), 2017	30	2017
Strain effects in freestanding three‐dimensional nitride nanostructures M Povolotskyi, M Auf der Maur, A Di Carlo physica status solidi (c) 2 (11), 3891-3894, 2005	29	2005

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς