Juan B. Roldán

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	5397	3318
h-index	39	28
i10-index	123	76

920

460

230

690

199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202422 24 24 29 51 56 88 85 83 80 114 106 76 108 89 109 165 99 118 136 192 201 321 359 631 751 918 335

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

74 άρθρα

49 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Francisco GamizProfessor of ElectronicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Mireia Bargalló GonzalezInstitut de Microelectrònica de Barcelona IMB-CNM (CSIC)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα csic.es
Juan A. López-VillanuevaCatedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Francesca Campabadal SeguraInstitut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM, CSICΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imb-cnm.csic.es
David Maldonado CorreaIHP GmbH - Leibniz-Institute for innovative microelectronicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ihp-microelectronics.com
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at KAUSTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaust.edu.sa
Andres GodoyUniversidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Gerardo González-CorderoΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα correo.ugr.es
Marco A. VillenaKing Abdullah University of Science and Technology (KAUST)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaust.edu.sa
Ana Maria AguileraProfesora de Estadística, Universidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Rocío Romero ZalizUniversidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα decsai.ugr.es
Samuel Aldana DelgadoPostdoctoral research fellow in Tyndall National InstituteΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tyndall.ie
Andrés Roldán ArandaAssociate Professor of Electronics Engineering, University of GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Enrique MirandaUniversitat Autonoma de BarcelonaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uab.cat
Christian WengerIHP GmbH - Leibniz institute for innovative microelectronicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ihp-microelectronics.com
Jordi SuñéProfessor of Electronics, IEEE Fellow, Universitat Autònoma de BarcelonaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uab.cat
Christian AcalUniversidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es
Rodrigo PicosFull Professor, Industrial Engineering and Construction Dept., Universitat de les Illes BalearsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uib.es
Domingo Barrera RosilloProfesor de Matemáticas, Universidad de GranadaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es

Παρακολούθηση

Juan B. Roldán

Department of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ugr.es

Nanoelectronics RRAMs Memristors Circuit and electron device simulation Electron device compact modeling


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Recommended methods to study resistive switching devices M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ... Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019	573	2019
Memristive technologies for data storage, computation, encryption, and radio-frequency communication M Lanza, A Sebastian, WD Lu, M Le Gallo, MF Chang, D Akinwande, ... Science 376 (6597), eabj9979, 2022	236	2022
Surface roughness at the interfaces in fully depleted silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldan, JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, ... Journal of Applied Physics 86 (12), 6854-6863, 1999	156	1999
Standards for the characterization of endurance in resistive switching devices M Lanza, R Waser, D Ielmini, JJ Yang, L Goux, J Suñe, AJ Kenyon, ... ACS nano 15 (11), 17214-17231, 2021	147	2021
Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device AN Mikhaylov, DV Guseinov, AI Belov, DS Korolev, VA Shishmakova, ... Chaos, Solitons & Fractals 144, 110723, 2021	131	2021
Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's F Gámiz, JA López-Villanueva, JB Roldán, JE Carceller, P Cartujo IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5), 1122-1126, 1998	103	1998
Modeling the centroid and the inversion charge in cylindrical surrounding gate MOSFETs, including quantum effects JB Roldan, A Godoy, F Gamiz, M Balaguer IEEE transactions on electron devices 55 (1), 411-416, 2007	101	2007
Acoustic phonon confinement in silicon nanolayers: Effect on electron mobility L Donetti, F Gámiz, JB Roldán, A Godoy Journal of Applied Physics 100 (1), 2006	92	2006
Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates F Gamiz, P Cartujo-Cassinello, JB Roldán, F Jiménez-Molinos Journal of Applied Physics 92 (1), 288-295, 2002	85	2002
Simulation of thermal reset transitions in resistive switching memories including quantum effects MA Villena, MB González, F Jiménez-Molinos, F Campabadal, JB Roldán, ... Journal of Applied Physics 115 (21), 2014	81	2014
Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JA López-Villanueva, ... Journal of Applied Physics 89 (3), 1764-1770, 2001	80	2001
Analysis of the statistics of device-to-device and cycle-to-cycle variability in TiN/Ti/Al: HfO2/TiN RRAMs E Pérez, D Maldonado, C Acal, JE Ruiz-Castro, FJ Alonso, AM Aguilera, ... Microelectronic Engineering 214, 104-109, 2019	76	2019
Advanced Data Encryption using 2D Materials C Wen, X Li, T Zanotti, FM Puglisi, Y Shi, F Saiz, A Antidormi, S Roche, ... Advanced Materials 33 (27), 2100185, 2021	75	2021
Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET JB Roldan, F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, JE Carceller IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5), 841-846, 1997	73	1997
A Monte Carlo study on the electron‐transport properties of high‐performance strained‐Si on relaxed Si_1−xGe_x channel MOSFETs JB Roldán, F Gámiz, JA López‐Villanueva, JE Carceller Journal of applied physics 80 (9), 5121-5128, 1996	73	1996
Hybrid 2D/CMOS microchips for memristive applications K Zhu, S Pazos, F Aguirre, Y Shen, Y Yuan, W Zheng, O Alharbi, ... Nature, 1-3, 2023	72	2023
A 3D kinetic Monte Carlo simulation study of resistive switching processes in Ni/HfO2/Si-n+-based RRAMs S Aldana, P García-Fernández, A Rodríguez-Fernández, R Romero-Zaliz, ... Journal of Physics D: Applied Physics 50 (33), 335103, 2017	72	2017
An in-depth simulation study of thermal reset transitions in resistive switching memories MA Villena, F Jiménez-Molinos, JB Roldán, J Suñé, S Long, X Lian, ... Journal of Applied Physics 114 (14), 2013	71	2013
Resistive switching in HfO2 based valence change memories, a comprehensive 3D kinetic Monte Carlo approach S Aldana, P García-Fernández, R Romero-Zaliz, MB González, ... Journal of Physics D: Applied Physics 53 (22), 225106, 2020	67	2020
Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JE Carceller, ... Journal of applied physics 86 (11), 6269-6275, 1999	65	1999

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς