Shane R Johnson

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	4530	1194
h-index	34	18
i10-index	93	28

280

140

210

19951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202432 20 42 27 44 61 70 83 91 118 130 139 137 140 129 164 183 213 235 223 277 245 263 225 247 243 250 196 211 47

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

22 άρθρα

3 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Yong-Hang ZhangProf., School of Electrical, Computer and Energy EngineeringΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu
Ding DingPrincipal Test EngineerΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu
Thomas TiedjeElectrical and Computer Engineering, University of Victoria, Victoria, BCΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uvic.ca
Shui-Qing (Fisher) YuUniversity of ArkansasΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uark.edu
Preston T. WebsterAir Force Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil
Stephan W. KochProfessor, Fachbereich Physik, Philipps Universitaet Marburg, Renthof 5, GermanyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.uni-marburg.de
Sangam ChatterjeeInstitute for Experimental Physics I, Justus-Liebig-University GiessenΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.uni-giessen.de
Mario BeaudoinResearch Associate, University of British ColumbiaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physics.ubc.ca
Alexey ChernikovDresden University of Technology (TU Dresden), University of RegensburgΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tu-dresden.de
Shi LiuResearch Associate of Electrical Engineering, Arizona State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu
Jeff F. YoungProfessor of Physics and Astronomy, University of British ColumbiaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα phas.ubc.ca
Christian LavoieIBM T.J. Watson Research CenterΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.ibm.com
Dan Beaton, Daniel Beaton, Daniel A...University of British Columbia, National Renewable Energy Lab, St. Francis XavierΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrel.gov
Stephen J SweeneyProfessor of Photonics and Nanotechnology, James Watt School of Engineering, University of GlasgowΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα glasgow.ac.uk
Martin KochProfessor für Physik, Philipps Universität MarburgΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.uni-marburg.de
Elizabeth H. SteenbergenRaytheon TechnologiesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu
Jonathan Paul BirdProfessor of Electrical Engineering, University at BuffaloΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα buffalo.edu
Gregory SalamoProfessor of Physics, University of ArkansasΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uark.edu
Songnan WuR&D ScientistΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu
Chaturvedi GogineniArizona State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu

Παρακολούθηση

Shane R Johnson

Arizona State University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα asu.edu

optoelectronic devices epitaxial growth compound semiconductors device physics


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis SK O’Leary, SR Johnson, PK Lim Journal of applied physics 82 (7), 3334-3340, 1997	386	1997
Temperature dependence of the Urbach edge in GaAs SR Johnson, T Tiedje Journal of applied physics 78 (9), 5609-5613, 1995	236	1995
High Power Vcsels With Transverse Mode Control N Samal, S Johnson, YH Zhang US Patent App. 10/592,999, 2007	230	2007
Optical absorption edge of semi-insulating GaAs and InP at high temperatures M Beaudoin, AJG DeVries, SR Johnson, H Laman, T Tiedje Applied Physics Letters 70 (26), 3540-3542, 1997	218	1997
Observation of leaky slab modes in an air-bridged semiconductor waveguide with a two-dimensional photonic lattice M Kanskar, P Paddon, V Pacradouni, R Morin, A Busch, JF Young, ... Applied physics letters 70 (11), 1438-1440, 1997	193	1997
Clustering effects in Ga (AsBi) S Imhof, A Thränhardt, A Chernikov, M Koch, NS Köster, K Kolata, ... Applied Physics Letters 96 (13), 2010	148	2010
Photonic band structure of dielectric membranes periodically textured in two dimensions V Pacradouni, WJ Mandeville, AR Cowan, P Paddon, JF Young, ... Physical Review B 62 (7), 4204, 2000	132	2000
Optical apparatus and method for measuring temperature of a substrate material with a temperature dependent band gap SR Johnson, C Lavoie, MK Nissen, JT Tiedje US Patent 5,388,909, 1995	120	1995
Semiconductor substrate temperature measurement by diffuse reflectance spectroscopy in molecular beam epitaxy SR Johnson, C Lavoie, T Tiedje, JA Mackenzie Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1993	117	1993
Measurement of InAsSb bandgap energy and InAs/InAsSb band edge positions using spectroscopic ellipsometry and photoluminescence spectroscopy PT Webster, NA Riordan, S Liu, EH Steenbergen, RA Synowicki, ... Journal of Applied Physics 118 (24), 2015	102	2015
Large g-factor enhancement in high-mobility InAs/AlSb quantum wells YG Sadofyev, A Ramamoorthy, B Naser, JP Bird, SR Johnson, YH Zhang Applied physics letters 81 (10), 1833-1835, 2002	87	2002
A semi-analytical model for semiconductor solar cells D Ding, SR Johnson, SQ Yu, SN Wu, YH Zhang Journal of Applied Physics 110 (12), 2011	68	2011
Band edge alignment of pseudomorphic on GaAs JB Wang, SR Johnson, SA Chaparro, D Ding, Y Cao, YG Sadofyev, ... Physical Review B 70 (19), 195339, 2004	67	2004
GaAsSb/GaAs band alignment evaluation for long-wave photonic applications SR Johnson, CZ Guo, S Chaparro, YG Sadofyev, J Wang, Y Cao, ... Journal of crystal growth 251 (1-4), 521-525, 2003	65	2003
Long wavelength GaAsP/GaAs/GaAsSb VCSELs on GaAs substrates for communications applications P Dowd, SR Johnson, SA Feld, M Adamcyk, SA Chaparro, J Joseph, ... Electronics Letters 39 (13), 1, 2003	64	2003
Long wavelength (1.3 and 1.5 μm) photoluminescence from InGaAs/GaPAsSb quantum wells grown on GaAs P Dowd, W Braun, DJ Smith, CM Ryu, CZ Guo, SL Chen, U Koelle, ... Applied physics letters 75 (9), 1267-1269, 1999	63	1999
Disorder and the Urbach edge in dilute bismide GaAsBi C Gogineni, NA Riordan, SR Johnson, X Lu, T Tiedje Applied Physics Letters 103 (4), 2013	56	2013
Dislocation-induced spatial ordering of InAs quantum dots: Effects on optical properties R Leon, S Chaparro, SR Johnson, C Navarro, X Jin, YH Zhang, J Siegert, ... Journal of applied physics 91 (9), 5826-5830, 2002	56	2002
Optical properties of InAsBi and optimal designs of lattice-matched and strain-balanced III-V semiconductor superlattices PT Webster, AJ Shalindar, NA Riordan, C Gogineni, H Liang, AR Sharma, ... Journal of Applied Physics 119 (22), 2016	53	2016
The variable stripe-length method revisited: Improved analysis C Lange, M Schwalm, S Chatterjee, WW Rühle, NC Gerhardt, ... Applied Physics Letters 91 (19), 2007	53	2007

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς