Andrew D. Koehler

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	4218	3373
h-index	30	24
i10-index	70	54

720

360

180

540

20102011201220132014201520162017201820192020202120222023202415 19 15 9 52 84 143 210 275 450 607 636 683 720 277

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

30 άρθρα

25 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Travis J. AndersonNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
Marko J. TadjerNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
James GallagherNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα osu.edu
Jordan GreenleeMicron TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gatech.edu
Geoffrey FosterContracting Scientist, Naval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
Anindya NathIBM Research, Globalfoundries, US Naval Research LabΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gmu.edu
Neeraj NepalUS Naval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
Nadeemullah MahadikNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
David J. MeyerNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
Lunet E. LunaNRC Postdoctoral Associate residing at U.S. Naval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα berkeley.edu
S. ParthasarathyPTD Device Engineer, Intel CorporationΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ufl.edu
Zachary RobinsonThe College at BrockportΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα brockport.edu
Sandra C HernandezNaval Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil
Joshua D. CaldwellVanderbilt UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vanderbilt.edu

Παρακολούθηση

Andrew D. Koehler

Naval Research Laboratory

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrl.navy.mil

Semiconductor devices


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Ultrawide‐bandgap semiconductors: research opportunities and challenges JY Tsao, S Chowdhury, MA Hollis, D Jena, NM Johnson, KA Jones, ... Advanced Electronic Materials 4 (1), 1600501, 2018	1168	2018
Diamond on III-nitride device FJ Kub, TJ Anderson, VD Wheeler, AD Koehler, KD Hobart US Patent 10,002,958, 2018	349	2018
Editors' Choice—Review—Theory and Characterization of Doping and Defects in β-Ga₂O₃ MJ Tadjer, JL Lyons, N Nepal, JA Freitas, AD Koehler, GM Foster ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 (7), Q3187-Q3194, 2019	197	2019
Vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers by selective ion implantation Y Zhang, Z Liu, MJ Tadjer, M Sun, D Piedra, C Hatem, TJ Anderson, ... IEEE Electron Device Letters 38 (8), 1097-1100, 2017	163	2017
A (001) β-Ga2O3 MOSFET with+ 2.9 V threshold voltage and HfO2 gate dielectric MJ Tadjer, NA Mahadik, VD Wheeler, ER Glaser, L Ruppalt, AD Koehler, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 (9), P468, 2016	152	2016
Substrate-dependent effects on the response of AlGaN/GaN HEMTs to 2-MeV proton irradiation TJ Anderson, AD Koehler, JD Greenlee, BD Weaver, MA Mastro, JK Hite, ... IEEE Electron Device Letters 35 (8), 826-828, 2014	92	2014
III-nitride P-channel field effect transistor with hole carriers in the channel FJ Kub, TJ Anderson, AD Koehler, KD Hobart US Patent 9,006,791, 2015	88	2015
On the radiation tolerance of AlGaN/GaN HEMTs BD Weaver, TJ Anderson, AD Koehler, JD Greenlee, JK Hite, DI Shahin, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 (7), Q208, 2016	86	2016
GaN-On-Diamond HEMT Technology With T_AVG = 176°C at P_DC,max = 56 W/mm Measured by Transient Thermoreflectance Imaging MJ Tadjer, TJ Anderson, MG Ancona, PE Raad, P Komarov, T Bai, ... IEEE Electron Device Letters 40 (6), 881-884, 2019	71	2019
Effect of reduced extended defect density in MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on native GaN substrates TJ Anderson, MJ Tadjer, JK Hite, JD Greenlee, AD Koehler, KD Hobart, ... IEEE Electron Device Letters 37 (1), 28-30, 2015	66	2015
Atomic Layer Epitaxy AlN for Enhanced AlGaN/GaN HEMT Passivation AD Koehler, N Nepal, TJ Anderson, MJ Tadjer, KD Hobart, CR Eddy, ... Electron Device Letters, IEEE 34 (9), 1115-1117, 2013	66	2013
Phase Control of Crystalline Ga₂O₃ Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition VD Wheeler, N Nepal, DR Boris, SB Qadri, LO Nyakiti, A Lang, A Koehler, ... Chemistry of Materials 32 (3), 1140-1152, 2020	65	2020
Electrical characterization of ALD HfO2 high-k dielectrics on (2¯ 01) β-Ga2O3 DI Shahin, MJ Tadjer, VD Wheeler, AD Koehler, TJ Anderson, CR Eddy, ... Applied Physics Letters 112 (4), 2018	61	2018
Nanocrystalline diamond integration with III-nitride HEMTs TJ Anderson, KD Hobart, MJ Tadjer, AD Koehler, EA Imhoff, JK Hite, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (2), Q3036, 2016	55	2016
Degradation mechanisms of 2 MeV proton irradiated AlGaN/GaN HEMTs JD Greenlee, P Specht, TJ Anderson, AD Koehler, BD Weaver, ... Applied physics letters 107 (8), 2015	48	2015
Vertical GaN junction barrier Schottky diodes AD Koehler, TJ Anderson, MJ Tadjer, A Nath, BN Feigelson, DI Shahin, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (1), Q10, 2016	42	2016
Enhancement mode AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistors with ZrO2 gate dielectric deposited by atomic layer deposition TJ Anderson, VD Wheeler, DI Shahin, MJ Tadjer, AD Koehler, KD Hobart, ... Applied Physics Express 9 (7), 071003, 2016	42	2016
Achieving clean epitaxial graphene surfaces suitable for device applications by improved lithographic process A Nath, AD Koehler, GG Jernigan, VD Wheeler, JK Hite, SC Hernández, ... Applied Physics Letters 104 (22), 2014	41	2014
Ga2O3 Schottky barrier and heterojunction diodes for power electronics applications MJ Tadjer, NA Mahadik, JA Freitas Jr, ER Glaser, AD Koehler, LE Luna, ... Gallium Nitride Materials and Devices XIII 10532, 56-61, 2018	40	2018
Proton radiation-induced void formation in Ni/Au-gated AlGaN/GaN HEMTs AD Koehler, P Specht, TJ Anderson, BD Weaver, JD Greenlee, MJ Tadjer, ... IEEE Electron Device Letters 35 (12), 1194-1196, 2014	40	2014

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς