Panagiotis Bousoulas

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	849	714
h-index	17	16
i10-index	26	26

200

100

150

201420152016201720182019202020212022202320247 12 24 46 43 61 61 108 178 182 123

Συν-συγγραφείς

Dimitris TsoukalasProfessor at National Technical University of AthensΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα central.ntua.gr
Georgios Ch. SirakoulisProfessor, Democritus University of Thrace, GreeceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.duth.gr
Iosif-Angelos FyrigosDemocritus University of ThraceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.duth.gr
Dionisis SakellaropoulosNational Technical University of AthensΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα central.ntua.gr
Theodoros Panagiotis ChatzinikolaouPhD Candidate, Democritus University of ThraceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.duth.gr
Tsompanas Michail-AntisthenisUniversity of the West of EnglandΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uwe.ac.uk
Vasileios NtinasPostdoctoral Research Associate, Technische Universität DresdenΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tu-dresden.de
Charalampos Papakonstantinopoulos,...Νational Technical University of AthensΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.ntua.gr
Evangelos SkotadisTechnical University of Athens/ Adjunct lecturer University of West AtticaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα central.ntua.gr
Iason GiannopoulosDr. sc. ETH ZürichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ethz.ch
Patrick AsenovUniversità di Pisa & INFN Sezione di PisaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cern.ch
Spyros StathopoulosSr Experimental Officer - University of EdinburghΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ed.ac.uk
Evangelos AslanidisPost-doctoral researcher IESL - FORTHΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iesl.forth.gr
Andrew AdamatzkyProfessor in Unconventional Computing, UWE, BristolΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uwe.ac.uk
Konstantinos P. GiannakopoulosNCSR DemokritosΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imel.demokritos.gr
Panagiotis DimitrakisInstitute of Nanoscience & Nanotechnology, NCSR "Demokritos"Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα inn.demokritos.gr
Marianthi PanagopoulouPost doctoral researcher, NTUAΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.ntua.gr

Παρακολούθηση

Panagiotis Bousoulas

Post-Doctoral Researcher

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.ntua.gr - Αρχική σελίδα

non-volatile memories 2D Materials MEMS RRAM COMSOL


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Low-Power and Highly Uniform 3-b Multilevel Switching in Forming Free TiO_2–x-Based RRAM With Embedded Pt Nanocrystals P Bousoulas, S Stathopoulos, D Tsialoukis, D Tsoukalas IEEE Electron Device Letters 37 (7), 874-877, 2016	76	2016
Influence of oxygen content of room temperature TiO2− x deposited films for enhanced resistive switching memory performance P Bousoulas, I Michelakaki, D Tsoukalas Journal of Applied Physics 115 (3), 2014	61	2014
Engineering amorphous-crystalline interfaces in TiO2− x/TiO2− y-based bilayer structures for enhanced resistive switching and synaptic properties P Bousoulas, P Asenov, I Karageorgiou, D Sakellaropoulos, ... Journal of Applied Physics 120 (15), 2016	58	2016
Low-Power Forming Free TiO_2–x/HfO_2–y/TiO_2–x-Trilayer RRAM Devices Exhibiting Synaptic Property Characteristics P Bousoulas, I Michelakaki, E Skotadis, M Tsigkourakos, D Tsoukalas IEEE Transactions on Electron Devices 64 (8), 3151-3158, 2017	51	2017
Investigating the origins of ultra-short relaxation times of silver filaments in forming-free SiO2-based conductive bridge memristors P Bousoulas, D Sakellaropoulos, C Papakonstantinopoulos, S Kitsios, ... Nanotechnology 31 (45), 454002, 2020	42	2020
Ultra‐Low Power Multilevel Switching with Enhanced Uniformity in Forming Free TiO_2−x‐Based RRAM with Embedded Pt Nanocrystals M Tsigkourakos, P Bousoulas, V Aslanidis, E Skotadis, D Tsoukalas physica status solidi (a) 214 (12), 1700570, 2017	41	2017
Investigating the origins of high multilevel resistive switching in forming free Ti/TiO2− x-based memory devices through experiments and simulations P Bousoulas, I Giannopoulos, P Asenov, I Karageorgiou, D Tsoukalas Journal of Applied Physics 121 (9), 2017	40	2017
Influence of Ti top electrode thickness on the resistive switching properties of forming free and self-rectified TiO2− x thin films P Bousoulas, I Michelakaki, D Tsoukalas Thin Solid Films 571, 23-31, 2014	37	2014
Heavy metal ion detection using DNAzyme-modified platinum nanoparticle networks E Skotadis, G Tsekenis, M Chatzipetrou, L Patsiouras, L Madianos, ... Sensors and Actuators B: Chemical 239, 962-969, 2017	31	2017
Enhancing the synaptic properties of low-power and forming-free HfOx/TaOy/HfOx resistive switching devices D Sakellaropoulos, P Bousoulas, G Nikas, C Arvanitis, E Bagakis, ... Microelectronic Engineering 229, 111358, 2020	29	2020
Memory programming of TiO2− x films by Conductive Atomic Force Microscopy evidencing filamentary resistive switching P Bousoulas, J Giannopoulos, K Giannakopoulos, P Dimitrakis, ... Applied Surface Science 332, 55-61, 2015	29	2015
Emulating artificial neuron and synaptic properties with SiO2-based memristive devices by tuning threshold and bipolar switching effects P Bousoulas, M Panagopoulou, N Boukos, D Tsoukalas Journal of Physics D: Applied Physics 54 (22), 225303, 2021	27	2021
Impact of Pt embedded nanocrystals on the resistive switching and synaptic properties of forming free TiO2–x/TiO2–y-based bilayer structures D Sakellaropoulos, P Bousoulas, D Tsoukalas Journal of Applied Physics 126 (4), 2019	27	2019
Low Power Stochastic Neurons From SiO2-Based Bilayer Conductive Bridge Memristors for Probabilistic Spiking Neural Network Applications—Part II: Modeling PB C Tsioustas, J Hadfield, V Aslanidis, S Limberopoulos, D Tsoukalas IEEE Transactions on Electron Devices 69 (5), 2368 - 2376, 2022	23*	2022
Tuning the analog synaptic properties of forming free SiO2 memristors by material engineering P Bousoulas, D Sakellaropoulos, D Tsoukalas Applied Physics Letters 118 (14), 2021	23	2021
Impact of Active Electrode on the Synaptic Properties of SiO₂-Based Forming-Free Conductive Bridge Memory D Sakellaropoulos, P Bousoulas, C Papakonstantinopoulos, S Kitsios, ... IEEE Transactions on Electron Devices 68 (4), 1598-1603, 2021	20	2021
Spatial Confinement Effects of Embedded Nanocrystals on Multibit and Synaptic Properties of Forming Free SiO₂-Based Conductive Bridge Random Access Memory D Sakellaropoulos, P Bousoulas, C Papakonstantinopoulos, S Kitsios, ... IEEE Electron Device Letters 41 (7), 1013-1016, 2020	18	2020
Coexistence of bipolar and threshold resistive switching in TiO2 based structure with embedded hafnium nanoparticles I Michelakaki, P Bousoulas, S Stathopoulos, N Boukos, D Tsoukalas Journal of Physics D: Applied Physics 50 (4), 045103, 2016	17	2016
Emulating Artificial Synaptic Plasticity Characteristics from SiO₂-Based Conductive Bridge Memories with Pt Nanoparticles P Bousoulas, C Papakonstantinopoulos, S Kitsios, K Moustakas, ... Micromachines 12 (3), 306, 2021	15	2021
Tuning Resistive, Capacitive, and Synaptic Properties of Forming Free TiO_2‐x‐Based RRAM Devices by Embedded Pt and Ta Nanocrystals P Bousoulas, I Karageorgiou, V Aslanidis, K Giannakopoulos, ... physica status solidi (a) 215 (3), 1700440, 2018	15	2018

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς