Martin Eickhoff

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	11288	3408
h-index	53	26
i10-index	164	86

760

380

190

570

20012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202441 57 150 241 292 329 341 482 410 460 484 533 646 615 592 643 695 744 672 668 634 525 515 392

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

51 άρθρα

26 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα icrea.cat
Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, FranceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cea.fr
Sangam ChatterjeeInstitute for Experimental Physics I, Justus-Liebig-University GiessenΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.uni-giessen.de
Alexey ChernikovDresden University of Technology (TU Dresden), University of RegensburgΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tu-dresden.de
Anna Fontcuberta i MorralEcole Polytechnique Fédérale de LausanneΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα epfl.ch
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα u-psud.fr
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, FranceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα epfl.ch
Tomás PalaciosMITΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mit.edu
Andreas OffenhäusserForschungszentrum JülichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fz-juelich.de
Jaume GazquezICMAB-CSICΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα icmab.es
Ulrich SchwarzProfessor, TU ChemnitzΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.tu-chemnitz.de
j. grajal de la fuenteUniversidad Politécnica de MadridΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gmr.ssr.upm.es
Guido FagliaUniversity of Brescia & CNR BresciaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ing.unibs.it
Silvia RamosUniversity of KentΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cond-mat.org
Lise LahourcadeLASPE @ EPFL - SwitzerlandΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα epfl.ch
PezoldtTU IlmenauΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tu-ilmenau.de
Richard S. Mullerprofessor of eecs university of california berkeleyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα eecs.berkeley.edu

Παρακολούθηση

Martin Eickhoff

Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ifp.uni-bremen.de

Solid state physics semiconductor physics physics of nanostructures biochemical sensors nanosensors


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1408	2002
Binary copper oxide semiconductors: From materials towards devices BK Meyer, A Polity, D Reppin, M Becker, P Hering, PJ Klar, T Sander, ... physica status solidi (b) 249 (8), 1487-1509, 2012	787	2012
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	366	2003
Playing with polarity M Stutzmann, O Ambacher, M Eickhoff, U Karrer, A Lima Pimenta, ... physica status solidi (b) 228 (2), 505-512, 2001	289	2001
Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Sensors and Actuators B: Chemical 87 (3), 425-430, 2002	278	2002
Hydrogen response mechanism of Pt–GaN Schottky diodes J Schalwig, G Müller, U Karrer, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 80 (7), 1222-1224, 2002	265	2002
GaN-based heterostructures for sensor applications M Stutzmann, G Steinhoff, M Eickhoff, O Ambacher, CE Nebel, J Schalwig, ... Diamond and related materials 11 (3-6), 886-891, 2002	245	2002
Polarity assignment in ZnTe, GaAs, ZnO, and GaN-AlN nanowires from direct dumbbell analysis M De La Mata, C Magen, J Gazquez, MIB Utama, M Heiss, S Lopatin, ... Nano letters 12 (5), 2579-2586, 2012	202	2012
Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy-The influence of Si-and Mg-doping F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, J Arbiol, S Estradé, F Peirò, ... Journal of Applied Physics 104 (3), 2008	198	2008
AlxGa1–xN—A new material system for biosensors G Steinhoff, O Purrucker, M Tanaka, M Stutzmann, M Eickhoff Advanced Functional Materials 13 (11), 841-846, 2003	198	2003
Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey M Stutzmann, JA Garrido, M Eickhoff, MS Brandt physica status solidi (a) 203 (14), 3424-3437, 2006	190	2006
Recording of cell action potentials with AlGaN∕ GaN field-effect transistors G Steinhoff, B Baur, G Wrobel, S Ingebrandt, A Offenhäusser, A Dadgar, ... Applied Physics Letters 86 (3), 2005	184	2005
Chemical functionalization of GaN and AlN surfaces B Baur, G Steinhoff, J Hernando, O Purrucker, M Tanaka, B Nickel, ... Applied Physics Letters 87 (26), 2005	168	2005
Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures–Part B: Sensor applications M Eickhoff, J Schalwig, G Steinhoff, O Weidemann, L Görgens, ... physica status solidi (c), 1908-1918, 2003	163	2003
Tin-Assisted Synthesis of by Molecular Beam Epitaxy M Kracht, A Karg, J Schörmann, M Weinhold, D Zink, F Michel, M Rohnke, ... Physical Review Applied 8 (5), 054002, 2017	162	2017
Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd: GaN Schottky diodes O Weidemann, M Hermann, G Steinhoff, H Wingbrant, A Lloyd Spetz, ... Applied Physics Letters 83 (4), 773-775, 2003	135	2003
Group III-nitride-based gas sensors for combustion monitoring J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Materials Science and Engineering: B 93 (1-3), 207-214, 2002	134	2002
Optical properties and structural characteristics of ZnMgO grown by plasma assisted molecular beam epitaxy TA Wassner, B Laumer, S Maier, A Laufer, BK Meyer, M Stutzmann, ... Journal of Applied Physics 105 (2), 2009	129	2009
Optical properties of Si-and Mg-doped gallium nitride nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, A Laufer, BK Meyer, M Eickhoff Journal of Applied Physics 104 (7), 2008	129	2008
AlN/diamond heterojunction diodes CR Miskys, JA Garrido, CE Nebel, M Hermann, O Ambacher, M Eickhoff, ... Applied physics letters 82 (2), 290-292, 2003	128	2003

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς